Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Евтихиев, В. П. - Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной обла...
Евтихиев, В. П. - Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной обла...
Статья
Автор: Евтихиев, В. П.
Физика и техника полупроводников: Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной обла...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Евтихиев, В. П.
Физика и техника полупроводников: Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной обла...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Евтихиев, В. П.
Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs(001), разориентированных в направлении [010] / Физика полупроводниковых приборов / В. П. Евтихиев, И. В. Кудряшов, Е. Ю. Котельников, В. Е. Токранов, А. Н. Титков, И. С. Тарасов, Ж. И. Алферов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 12 . – 1482-1486 .
Евтихиев, В. П.
Непрерывная генерация при 293 К РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs(001), разориентированных в направлении [010] / Физика полупроводниковых приборов / В. П. Евтихиев, И. В. Кудряшов, Е. Ю. Котельников, В. Е. Токранов, А. Н. Титков, И. С. Тарасов, Ж. И. Алферов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 12 . – 1482-1486 .