Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Журавлев, К. С. - Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута /...
Журавлев, К. С. - Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута /...
Статья
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута /...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Журавлев, К. С.
Физика и техника полупроводников: Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута /...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Журавлев, К. С.
Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута / Электронные и оптические свойства полупроводников / К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, Н. А. Якушева // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 50-56 .
Журавлев, К. С.
Связанные с марганцем центры рекомбинации в эпитаксиальном GaAs, выращенном из расплава висмута / Электронные и оптические свойства полупроводников / К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, Н. А. Якушева // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 50-56 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный