Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Давыдов, С. Ю. - К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (суб...
Давыдов, С. Ю. - К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (суб...
Статья
Автор: Давыдов, С. Ю.
Физика и техника полупроводников: К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (суб...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Давыдов, С. Ю.
Физика и техника полупроводников: К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (суб...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Давыдов, С. Ю.
К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (субмонослойная пленка металла) / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 68-71 .
Давыдов, С. Ю.
К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) - (субмонослойная пленка металла) / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. К. Тихонов // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 1 . – 68-71 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 1
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный