Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 2 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Аблова, М. С.
Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Аблова, М. С.
Гамма-индуцированные метастабильные состояния легированного аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Лазеры на основе InAsSbP-двойных гетероструктур для спектрального диапазона 2.7-3.0 мкм (Т=77К)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мельников, Д. В.
Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Мельников, Д. В.
Латеральная бегущая волна как форма переходного процесса в резонансно-туннельной структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Овсюк, В. Н.
Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Овсюк, В. Н.
Фотоэлектрическая память в многослойных структурах с квантовыми ямами на основе GaAs/AlGaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Казакова, Л. П.
Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник- кристаллический полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Казакова, Л. П.
Переходный фототок в структурах аморфный, пористый полупроводник- кристаллический полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванова, Г. Н.
Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Иванова, Г. Н.
Структура центров и механизмы высокотемпературного голубого излучения селенида цинка
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Матвеев, О. А.
Самокомпенсация в CdTe<Cl> в условиях фазового равновесия кристалл-пар кадмия (теллура)
б.г.
ISBN отсутствует
Матвеев, О. А.
Самокомпенсация в CdTe<Cl> в условиях фазового равновесия кристалл-пар кадмия (теллура)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Керимова, Т. Г.
Деформационные потенциалы экстремумов зон Г(000) в CdGa2S4
б.г.
ISBN отсутствует
Керимова, Т. Г.
Деформационные потенциалы экстремумов зон Г(000) в CdGa2S4
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мустафаева, С. Н.
Экситонные характеристики интеркалированного монокристалла TlGaSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Мустафаева, С. Н.
Экситонные характеристики интеркалированного монокристалла TlGaSe2
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Куликов, Г. С.
Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Куликов, Г. С.
Диффузионное насыщение примесью олова нелегированного аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует