Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Воронина, Т. И. - Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
Воронина, Т. И. - Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
Статья
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Воронина, Т. И.
Физика и техника полупроводников: Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. Е. Розов, А. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 2 . – 215-221 .
Воронина, Т. И.
Истощение инверсного электронного канала на гетерогранице II типа в системе p-GaInAsSb/p-InAs / Т. И. Воронина, Т. С. Лагунова, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, А. Е. Розов, А. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников . – 1998 . – Т. 32, N 2 . – 215-221 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 2
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 32, N 2
1998 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный