Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1995 . – Т. 29, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Слободчиков, С. В.
Токоперенос в МДП структурах Pd-SiO2-n(p)-Si и второй механизм усиления фототока
б.г.
ISBN отсутствует
Слободчиков, С. В.
Токоперенос в МДП структурах Pd-SiO2-n(p)-Si и второй механизм усиления фототока
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жданович, Н. С.
О встраивании азота в сетку аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Жданович, Н. С.
О встраивании азота в сетку аморфного гидрированного кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бедный, Б. И.
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
б.г.
ISBN отсутствует
Бедный, Б. И.
Сульфидная пассивация поверхности GaAs: открепление уровня Ферми
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кузьма, М.
Эффект сегрегации ртути при импульсном лазерном отжиге CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Кузьма, М.
Эффект сегрегации ртути при импульсном лазерном отжиге CdxHg1-xTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Коваленко, А. В.
Стимулированная лазером газофазная эпитаксия ZnSe на GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Коваленко, А. В.
Стимулированная лазером газофазная эпитаксия ZnSe на GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добровольский, В. Н.
Самовыключение тока ударной ионизации в p-n-переходе
б.г.
ISBN отсутствует
Добровольский, В. Н.
Самовыключение тока ударной ионизации в p-n-переходе
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Равич, Ю. И.
Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в твердых растворах Pb...
б.г.
ISBN отсутствует
Равич, Ю. И.
Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в твердых растворах Pb...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
Кузнецов, А. Н.
Гетероэпитаксиальный рост пленок SiC на основе подложек AIN/Al2O3
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Скипетров, Е. П.
Стабилизация донорного действия галлия в сплавах Pb1-xSnxTe, облученных электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Скипетров, Е. П.
Стабилизация донорного действия галлия в сплавах Pb1-xSnxTe, облученных электронами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Заманова, Э. Г.
Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS:Cu
б.г.
ISBN отсутствует
Заманова, Э. Г.
Эффект фотопамяти в высокоомных фоточувствительных монокристаллах CdS:Cu
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Тагиев, Б. Г.
Инжекция и полевая ионизация ловушек в монокристаллах MnGa2Se4
б.г.
ISBN отсутствует
Тагиев, Б. Г.
Инжекция и полевая ионизация ловушек в монокристаллах MnGa2Se4
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Костин, И. В.
Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnA в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Костин, И. В.
Роль возбужденного состояния в пьезоспектроскопических свойствах акцептора SnA в GaAs
б.г.
ISBN отсутствует