Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1996 . – Т. 30, N 8 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Леотин, Ж.
Термоактивационная спектроскопия малых количеств мелких сопутствующих примесей в легированном сла...
б.г.
ISBN отсутствует
Леотин, Ж.
Термоактивационная спектроскопия малых количеств мелких сопутствующих примесей в легированном сла...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Буянова, И. А.
Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики
б.г.
ISBN отсутствует
Буянова, И. А.
Сенсибилизированная люминесценция пористого кремния и ее поляризационные характеристики
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Корсунская, Н. Е.
Зависимость фотолюминесценции пористого Si от состава вещества на поверхности кремниевых нитей
б.г.
ISBN отсутствует
Корсунская, Н. Е.
Зависимость фотолюминесценции пористого Si от состава вещества на поверхности кремниевых нитей
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Резников, Б. И.
О распределении электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Резников, Б. И.
О распределении электрического поля в высокоомных сильно смещенных МДПДМ структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кашкаров, П. К.
Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Кашкаров, П. К.
Механизмы влияния адсорбции молекул на рекомбинационные процессы в пористом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зотеев, А. В.
Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфита галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Зотеев, А. В.
Электрохимическое формирование и оптические свойства пористого фосфита галлия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Олих, Я. М.
О влиянии ультразвука на отжиг радиационных дефектов в нейтронно-легированном германии
б.г.
ISBN отсутствует
Олих, Я. М.
О влиянии ультразвука на отжиг радиационных дефектов в нейтронно-легированном германии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бабенцов, В. Н.
Излучательная рекомбинация механически разупорядоченного нелегированного p-CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
Бабенцов, В. Н.
Излучательная рекомбинация механически разупорядоченного нелегированного p-CdTe
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Давыдов, В. Н.
Релаксация фотоэдс в кремниевых МДП структурах при действии электрического импульса
б.г.
ISBN отсутствует
Давыдов, В. Н.
Релаксация фотоэдс в кремниевых МДП структурах при действии электрического импульса
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Виссер, А. де
Особенности магнитосопротивления сплавов Pb(1-x)SnxTe(In) и Pb(1-x)MnxTe(In)
б.г.
ISBN отсутствует
Виссер, А. де
Особенности магнитосопротивления сплавов Pb(1-x)SnxTe(In) и Pb(1-x)MnxTe(In)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Добровольский, В. Н.
Токи отдельных лавин в области пространственного заряда p-n-перехода
б.г.
ISBN отсутствует
Добровольский, В. Н.
Токи отдельных лавин в области пространственного заряда p-n-перехода
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Пахомов, А. А.
Локальные электронные состояния в полупроводниковых квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Пахомов, А. А.
Локальные электронные состояния в полупроводниковых квантовых ямах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Игнатьев, А. С.
Экситонные модуляторы света на основе гетероструктур с системой квантовых ям
б.г.
ISBN отсутствует
Игнатьев, А. С.
Экситонные модуляторы света на основе гетероструктур с системой квантовых ям
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Водопьянов, В. Н.
Энергетические примесные состояния в легированных кадмием эпитаксиальных слоях Pb0.8Sn0.2Te
б.г.
ISBN отсутствует
Водопьянов, В. Н.
Энергетические примесные состояния в легированных кадмием эпитаксиальных слоях Pb0.8Sn0.2Te
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует
Айдаралиев, М.
Лазерные ДГС на основе InAsSbP-InAs-InAsSbP с p-n-переходом в активной области
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Егоров, А. Ю.
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs и GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Егоров, А. Ю.
Оптический диапазон излучения структур с напряженными квантовыми точками InAs и GaAs
б.г.
ISBN отсутствует