Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Арутюнов, Н. Ю.
Исследование комплексов вакансионного типа в GaN и AlN методом аннигиляции позитронов / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Н. Ю. Арутюнов, А. В. Михайлин, В. Ю. Давыдов, В. В. Емцев, Г. А. Оганесян, Е. Е. Халлер // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2002 . – Т. 36, N 10 . – с. 1186-1190 .