Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Тетеркин, В. В. - Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переход...
Тетеркин, В. В. - Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переход...
Статья
Автор: Тетеркин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переход...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Тетеркин, В. В.
Физика и техника полупроводников: Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переход...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Тетеркин, В. В.
Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переходов на их основе / В. В. Тетеркин, С. Я. Сточанский, Ф. Ф. Сизов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 350-355 .
Тетеркин, В. В.
Механизм рекомбинации в легированных кристаллах n-Hg1-xCdxTe и свойства диффузионных p+-n-переходов на их основе / В. В. Тетеркин, С. Я. Сточанский, Ф. Ф. Сизов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 3 . – 350-355 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 3
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный