Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Данишевский, А. М. - Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках
Данишевский, А. М. - Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках
Статья
Автор: Данишевский, А. М.
Физика и техника полупроводников: Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Данишевский, А. М.
Физика и техника полупроводников: Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Данишевский, А. М.
Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках / А. М. Данишевский, В. Б. Шуман, Е. Г. Гук, А. Ю. Рогачев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 420-425 .
Данишевский, А. М.
Интенсивная фотолюминесценция пористых слоев пленок SiC, выращенных на кремниевых подложках / А. М. Данишевский, В. Б. Шуман, Е. Г. Гук, А. Ю. Рогачев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 420-425 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный