Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Минарский, А. М. - О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
Минарский, А. М. - О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
Статья
Автор: Минарский, А. М.
Физика и техника полупроводников: О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Минарский, А. М.
Физика и техника полупроводников: О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Минарский, А. М.
О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре / А. М. Минарский, П. Б. Родин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 432-437 .
Минарский, А. М.
О поперечной устойчмвости фронта ударной ионизации в Si p+-n-n+-структуре / А. М. Минарский, П. Б. Родин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 432-437 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный