Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Аллен, Т. Ю. - Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием
Аллен, Т. Ю. - Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием
Статья
Автор: Аллен, Т. Ю.
Физика и техника полупроводников: Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Аллен, Т. Ю.
Физика и техника полупроводников: Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Аллен, Т. Ю.
Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием / Т. Ю. Аллен, Т. А. Полянская, А. А. Копылов, А. А. Шакмаев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 475-478 .
Аллен, Т. Ю.
Фотопроводимость твердого раствора p-GaAs0.94Sb0.06 ллегированного германием / Т. Ю. Аллен, Т. А. Полянская, А. А. Копылов, А. А. Шакмаев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 475-478 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный