Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Возмилова, Л. Н. - Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид ...
Возмилова, Л. Н. - Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид ...
Статья
Автор: Возмилова, Л. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Возмилова, Л. Н.
Физика и техника полупроводников: Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Возмилова, Л. Н.
Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия / Л. Н. Возмилова, В. И. Гаман, В. М. Калыгна, А. В. Панин, Т. П. Смирнова // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 492-498 .
Возмилова, Л. Н.
Влияние лазерного излучения на плотность эектронных состояний границы раздела диэлектрик-арсенид галлия / Л. Н. Возмилова, В. И. Гаман, В. М. Калыгна, А. В. Панин, Т. П. Смирнова // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 4 . – 492-498 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 4
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный