Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 5 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Кабанов, В. Ф.
Эффект продолжительного аонитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO
б.г.
ISBN отсутствует
Кабанов, В. Ф.
Эффект продолжительного аонитосопротивления в пленках ферромагнитного полупроводника Eu1-xSmxO
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Грибников, З. С.
Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток
б.г.
ISBN отсутствует
Грибников, З. С.
Механизм многозначной анизотропии электропроводности двойных гетероструктурных ям и сверхрешеток
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Казакова, Л. П.
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Казакова, Л. П.
Переходный ток, ограниченный пространственным зарядом в пористом кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Вирт, И. С.
Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава
б.г.
ISBN отсутствует
Вирт, И. С.
Фотоотклик кристаллов CdxHg1-xTe, обусловленный неоднородностями состава
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шатковский, Е.
Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении
б.г.
ISBN отсутствует
Шатковский, Е.
Фотолюминесценция в пористом кремнии при интенсивном лазерном возбуждении
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аллен, Т. Ю.
Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, лешированных германием
б.г.
ISBN отсутствует
Аллен, Т. Ю.
Электрофизические свойства твердых растворов p-GaAs1-xSbx, лешированных германием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Шикин, В. Б.
Холловский кондактанс полубесконечной двумерной системы на низких частотах
б.г.
ISBN отсутствует
Шикин, В. Б.
Холловский кондактанс полубесконечной двумерной системы на низких частотах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Санкин, В. И.
Электронный транспорт в условиях ванье-штарковской локализации в политипах карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Санкин, В. И.
Электронный транспорт в условиях ванье-штарковской локализации в политипах карбида кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Константинов, О. В.
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Константинов, О. В.
Обменная энергия свободного электрона в полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алиев, С. А.
О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12
б.г.
ISBN отсутствует
Алиев, С. А.
О неупругом характере рассеяния электронов в сильно легированном Bi0.88Sb0.12
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Копылов, А. А.
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
б.г.
ISBN отсутствует
Копылов, А. А.
Инфракрасное поглощение в пористом кремнии, полученном в электролитах, содержащих этанол
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Зайцев, С. В.
Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек
б.г.
ISBN отсутствует
Зайцев, С. В.
Исследование свойств низкопороговых гетеролазеров с массивами квантовых точек
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Курова, И. А.
О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Курова, И. А.
О релаксационных характеристиках и стабильности пленок a-Si:H, выращенных при высоких температурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Глинчук, К. Д.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)
б.г.
ISBN отсутствует
Глинчук, К. Д.
Влияние облучения быстрыми нейтронами на фотолюминесценцию кристаллов n-GaAs(Te)
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Алексеева, Г. Т.
Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия
б.г.
ISBN отсутствует
Алексеева, Г. Т.
Природа центров локализации дырок в халькогенидах свинца с примесью натрия
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Бабенцов, В. Н.
Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd
б.г.
ISBN отсутствует
Бабенцов, В. Н.
Распределение мелкой донорной примеси в пластине p-CdTe при ее отжиге в парах Cd
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Мельничук, С. В.
Анизотропия угла фарадеевского вращения в Fe-содержащем полумагнитном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует
Мельничук, С. В.
Анизотропия угла фарадеевского вращения в Fe-содержащем полумагнитном полупроводнике
б.г.
ISBN отсутствует