Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика и техника полупроводников
Физика и техника полупроводников
Доступно
1 из 1
1 из 1
Заказать 
На полку
Периодическое издание
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – М. : Наука . – На рус. яз. - ISSN 0015-3222 ДЛЯ ДОСТУПА из ДОМА к ПОЛНОМУ ТЕКСТУ необходимо подключиться через OpenVPN МИСИС (настройки см. в личном кабинете МИСИС) .
Выпуск
Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 .
01:Книгохранение - 1 экз.
Привязано к:
Связанные описания:
Статья
Сукач, Г. А.
Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Сукач, Г. А.
Лазерно-стимулированное перемещение границы p-n-перехода в прямозонных GaAsP-структурах
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Кашкаров, П. К.
К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Кашкаров, П. К.
К вопросу о температурной зависимости фотолюминесценции пористого кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Салаев, Э. Ю.
Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2 : 0.3) c тонкопленочным алюминиевым покрытием
б.г.
ISBN отсутствует
Салаев, Э. Ю.
Особенности фотопроводимости CdxHg1-xTe (x=0.2 : 0.3) c тонкопленочным алюминиевым покрытием
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, В. Г.
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, В. Г.
Квантовая эффективность фотодиодов с барьером Шоттки вблизи длинноволновой границы
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Качурин, Г. А.
Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
Качурин, Г. А.
Фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных ионами Si+ и отожженных в импульсном режиме
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Талипов, Ф. М.
Влияние иттербия на радиационное дефектообразование в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Талипов, Ф. М.
Влияние иттербия на радиационное дефектообразование в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Юнусов, М. С.
Об особенностях радиационного дефектообразования в p-Si<B, Pt>
б.г.
ISBN отсутствует
Юнусов, М. С.
Об особенностях радиационного дефектообразования в p-Si<B, Pt>
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Гумаров, Г. Г.
Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Fe+ в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Гумаров, Г. Г.
Аномальное распределение атомов железа при одновременной имплантации ионов Со+ и Fe+ в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Юнусов, М. С.
Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Юнусов, М. С.
Влияние примесного германия на свойства центров серы в кремнии
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Каток, В. Б.
Световоды на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Каток, В. Б.
Световоды на основе структуры металл-диэлектрик-полупроводник
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Конин, А. М.
Термоградиентный концентрационный эффект в биополярном полупроводнике при увеличении носителей то...
б.г.
ISBN отсутствует
Конин, А. М.
Термоградиентный концентрационный эффект в биополярном полупроводнике при увеличении носителей то...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Иванов, А. М.
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
Иванов, А. М.
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Максимов, М. В.
Оптические свойства вертикально связанных квантовых точек InGaAs в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Максимов, М. В.
Оптические свойства вертикально связанных квантовых точек InGaAs в матрице GaAs
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Данилова, Т. Н.
Влияние носителей заряда на перестройку в лазерах на основе InAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Андреев, И. А.
Сульфидная пассивация фотодиодных гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Аронзон, Б. А.
Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов
б.г.
ISBN отсутствует
Аронзон, Б. А.
Мезоскопические эффекты в области прыжковой проводимости макроскопических квази-2D объектов
б.г.
ISBN отсутствует