Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Иванов, А. М. - Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
Иванов, А. М. - Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
Статья
Автор: Иванов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Иванов, А. М.
Физика и техника полупроводников: Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Иванов, А. М.
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 674-680 .
Иванов, А. М.
Образование центров генерации носителей заряда в чистом Si при взаимодействии с быстрыми ионами / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 674-680 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный