Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мусаев, А. М. - Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле п...
Мусаев, А. М. - Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле п...
Статья
Автор: Мусаев, А. М.
Физика и техника полупроводников: Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле п...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мусаев, А. М.
Физика и техника полупроводников: Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле п...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мусаев, А. М.
Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле при 4.2 К / А. М. Мусаев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 724-728 .
Мусаев, А. М.
Пробой барьера Шоттки в Si, стимулированный дрейфом экситонов в неоднородном электрическом поле при 4.2 К / А. М. Мусаев // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 6 . – 724-728 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 6
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный