Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Ибрагимова, М. И. - Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристалло...
Ибрагимова, М. И. - Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристалло...
Статья
Автор: Ибрагимова, М. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристалло...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Ибрагимова, М. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристалло...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Ибрагимова, М. И.
Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe / М. И. Ибрагимова, Н. С. Барышев, В. Ю. Петухов, И. Б. Хайбуллин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 786-790 .
Ибрагимова, М. И.
Влияние последовательной имплантации ионов Ag+ (Cu+) и Хе+ на рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe / М. И. Ибрагимова, Н. С. Барышев, В. Ю. Петухов, И. Б. Хайбуллин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 786-790 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный