Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мнацаканов, Т. Т. - Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
Мнацаканов, Т. Т. - Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
Статья
Автор: Мнацаканов, Т. Т.
Физика и техника полупроводников: Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Мнацаканов, Т. Т.
Физика и техника полупроводников: Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Мнацаканов, Т. Т.
Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда / Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 830-836 .
Мнацаканов, Т. Т.
Исследование электронно-дырочного рассеяния в p-кремнии при низком уровне инжекции носителей заряда / Т. Т. Мнацаканов, Л. И. Поморцева, В. Б. Шуман // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 830-836 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный