Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кучеренко, И. В. - Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении
Кучеренко, И. В. - Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении
Статья
Автор: Кучеренко, И. В.
Физика и техника полупроводников: Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кучеренко, И. В.
Физика и техника полупроводников: Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кучеренко, И. В.
Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении / И. В. Кучеренко, Л. К. Водопьянов, В. И. Кадушкин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 872-875 .
Кучеренко, И. В.
Фотогальванический эффект в ассиметричной наноструктуре GaAS/AlGaAs при лазеном возбуждении / И. В. Кучеренко, Л. К. Водопьянов, В. И. Кадушкин // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 7 . – 872-875 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 7
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный