Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цырлин, Г. Э. - Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
Цырлин, Г. Э. - Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
Статья
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цырлин, Г. Э.
Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков / Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Н. К. Поляков, С. Я. Типисев, А. О. Голубок, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 8 . – 902-908 .
Цырлин, Г. Э.
Формирование наноструктур InGaAs/GaAS методами субмонослойного напыления из молекулярных пучков / Г. Э. Цырлин, В. Н. Петров, В. Г. Дубровский, Н. К. Поляков, С. Я. Типисев, А. О. Голубок, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 8 . – 902-908 .