Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глазов, В. М. - О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельн...
Глазов, В. М. - О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельн...
Статья
Автор: Глазов, В. М.
Физика и техника полупроводников: О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельн...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Глазов, В. М.
Физика и техника полупроводников: О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельн...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Глазов, В. М.
О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельными металлами/Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. М. Глазов, А. Я. Потемкин, Г. Г. Тимошина, М. С. Михайлова // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1025-1029 .
Глазов, В. М.
О возможности повышения термостабильности Si путем его легирования переходными, либо редкоземельными металлами/Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / В. М. Глазов, А. Я. Потемкин, Г. Г. Тимошина, М. С. Михайлова // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1025-1029 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный