Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лебедев, А. А. - Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной э...
Лебедев, А. А. - Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной э...
Статья
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной э...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Лебедев, А. А.
Физика и техника полупроводников: Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной э...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лебедев, А. А.
Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1049-1052 .
Лебедев, А. А.
Исследование параметров глубоких центров в эпитаксиальных слоях n-6H SiC, полученных газофазной эпитаксией / Электронные и оптические свойства полупроводников / А. А. Лебедев, Д. В. Давыдов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 9 . – 1049-1052 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 9
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный