Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Галиев, Г. Б. - Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при...
Галиев, Г. Б. - Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при...
Статья
Автор: Галиев, Г. Б.
Физика и техника полупроводников: Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Галиев, Г. Б.
Физика и техника полупроводников: Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Галиев, Г. Б.
Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Г. Б. Галиев, Р. М. Имамов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Э. Х. Мухамеджанов, Э. М. Пашаев, В. Б. Чеглаков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1168-1171 .
Галиев, Г. Б.
Исследование структурных свойств слоев GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах / Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников / Г. Б. Галиев, Р. М. Имамов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Э. Х. Мухамеджанов, Э. М. Пашаев, В. Б. Чеглаков // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1168-1171 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный