Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Кузнецов, Н. И. - Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границ...
Кузнецов, Н. И. - Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границ...
Статья
Автор: Кузнецов, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границ...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Кузнецов, Н. И.
Физика и техника полупроводников: Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границ...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Кузнецов, Н. И.
Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Кузнецов, J. A. Edmond // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1220-1225 .
Кузнецов, Н. И.
Влияние глубоких уровней на релаксацию тока в 6H-SiC-диодах / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Н. И. Кузнецов, J. A. Edmond // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1220-1225 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 31, N 10
1997 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный