Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Цырлин, Г. Э. - Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции б...
Цырлин, Г. Э. - Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции б...
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/6.gif)
Статья
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции б...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Цырлин, Г. Э.
Физика и техника полупроводников: Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции б...
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Цырлин, Г. Э.
Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. Э. Цырлин, Н. П. Корнеева, В. Н. Демидов, Н. К. Поляков, В. Н. Петров, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1230-1234 .
Цырлин, Г. Э.
Исследование перехода от двумерного к трехмерному росту в системе InAs/GaAs с помощью дифракции быстрых электронов на отражение / Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность / Г. Э. Цырлин, Н. П. Корнеева, В. Н. Демидов, Н. К. Поляков, В. Н. Петров, Н. Н. Леденцов // Физика и техника полупроводников . – 1997 . – Т. 31, N 10 . – 1230-1234 .