Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высо...
Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высо...
Доступно
1 из 1
1 из 1
Книга
Автор:
Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высо... : Заключит.
Издательство: [МИСиС], 1986 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высо... : Заключит.
Издательство: [МИСиС], 1986 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Книга
Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высоковольтных переключающих транзисторов : Заключит. / Л. В. Кожитов, В. В. Липатов . – М. : [МИСиС], 1986 . – 119 с. : ил. - Шифр темы 136 012. ГР NУ16313. (Для служебного пользования)7 .
СП-19571 27:Фонд отчетов ДСП МИСиС
Разработка технологии обращенных структур кремния диаметром 76 мм жидкофазной эпитаксией для высоковольтных переключающих транзисторов : Заключит. / Л. В. Кожитов, В. В. Липатов . – М. : [МИСиС], 1986 . – 119 с. : ил. - Шифр темы 136 012. ГР NУ16313. (Для служебного пользования)7 .
СП-19571 27:Фонд отчетов ДСП МИСиС