Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Каплан, Б. И. - Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы
Каплан, Б. И. - Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы
Статья
Автор: Каплан, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Каплан, Б. И.
Физика и техника полупроводников: Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Каплан, Б. И.
Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы / Б. И. Каплан, В. К. Малютенко, А. И. Щедрин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 11 . – с. 2011-2013 .
Каплан, Б. И.
Осциллисторный эффект в Ge в условиях поперечного градиента плотности плазмы / Б. И. Каплан, В. К. Малютенко, А. И. Щедрин // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 1991 . – Т. 25, N 11 . – с. 2011-2013 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 11
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 25, N 11
Наука, 1991 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный