Электронный каталог библиотеки МИСИС

Статья

Тетельбаум, Д. И.
Экстремальная дозовая зависимость концентрации парамагнитных центров, обусловленных оборванными связями в Si, при ионном облучении, как свидетельство наноструктурирования / Аморфные, стеклообразные и пористые полупроводники / Д. И. Тетельбаум, А. А. Ежевский, А. Н. Михайлов // Физика и техника полупроводников . – Издается с января 1967 года . – 2003 . – T. 37, N 11 . – с. 1380-1382 .