Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Те...
Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Те...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках: Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Те...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках: Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Те...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Температурная и частотная зависимость импеданса диода с базой из высокоомного полупроводника. 2. Изотермическая релаксация тока // Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев, С. М. Рывкин . – СПб. : Наука, 1981 . – с. 71-85 .
Глава 3. Особенности исследования глубоких центров в диодах из высокоомного полупроводника. 1. Температурная и частотная зависимость импеданса диода с базой из высокоомного полупроводника. 2. Изотермическая релаксация тока // Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках / Л. С. Берман, А. А. Лебедев, С. М. Рывкин . – СПб. : Наука, 1981 . – с. 71-85 .
Привязано к:
Доступно
2 из 2
Книга
Берман, Л. С.
Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
Наука, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Берман, Л. С.
Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках
Наука, 1981 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный