Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления
Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления
![](/vmsua5379ghkip/app/webroot/img/doctypes/7.gif)
Книга (аналит. описание)
Автор:
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления // Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : Учеб. пособие для вузов по спец. 'Полупроводники и диэлектрики' и 'Полупроводниковые приборы' / А. И. Курносов, В. В. Юдин . – 3-е изд., перераб. и доп . – М. : Высш. шк., 1986 . – с. 231-264 .
Глава 11. Получение структур методами термического испарения и ионно-плазменного распыления // Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем : Учеб. пособие для вузов по спец. 'Полупроводники и диэлектрики' и 'Полупроводниковые приборы' / А. И. Курносов, В. В. Юдин . – 3-е изд., перераб. и доп . – М. : Высш. шк., 1986 . – с. 231-264 .