Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов....
Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов....
Книга (аналит. описание)
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов....
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов....
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов. 4.1. Потери энергии заряженными частицами. 4.2. Ионизация при поглощении и рассеянии гамма-излучения и рентгеновских лучей. 4.3. Средняя энергия ионизации в полупроводниках. 4.4. Затраты энергии на ионизацию и возбуждение колебаний кристаллической решетки // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 45-60 .
Глава 4. Ионизация в полупроводниках при торможении заряженных частиц и поглощении гамма-квантов. 4.1. Потери энергии заряженными частицами. 4.2. Ионизация при поглощении и рассеянии гамма-излучения и рентгеновских лучей. 4.3. Средняя энергия ионизации в полупроводниках. 4.4. Затраты энергии на ионизацию и возбуждение колебаний кристаллической решетки // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 45-60 .