Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодей...
Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодей...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодей...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Действие излучений на полупроводники: Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодей...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодействие с примесями. 10.2. Ориентационные эффекты. 10.3. Релаксация кристаллической решетки. 10.4. Рекомбинационно-стимулированное движение дефектов // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 168-178 .
Глава 10. Радиационные дефекты в соединениях типа AIIIBV. 10.1. Стабильность дефектов и взаимодействие с примесями. 10.2. Ориентационные эффекты. 10.3. Релаксация кристаллической решетки. 10.4. Рекомбинационно-стимулированное движение дефектов // Действие излучений на полупроводники / В. С. Вавилов, Н. П. Кекелидзе, Л. С. Смирнов . – М. : Наука, 1988 . – с. 168-178 .
Привязано к:
Доступно
11 из 11
Книга
Вавилов, В. С.
Действие излучений на полупроводники
Наука, 1988 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Вавилов, В. С.
Действие излучений на полупроводники
Наука, 1988 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный