Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 3. Простая теория глубоких уровней в полупроводниках. 3.1. Элементарная теория дефектов, основанная на приближении сильной связи. 3.1.1. Основные принципы приближения сильной связи. 3.1.2. Матричные элементы приближения сильной связи для кристаллов с ковалентной sp-связью. 3.1.3. Формирование зонной структуры. а. Молекулярная модель. б. Эффекты уширения. Простое описание. в. Усовершенствования подхода. 3.1.4. Вакансия в ковалентно связанной линейной цепочке. 3.1.5. Вакансия в ковалентном кристалле. 3.1.6. Междоузельный дефект. 3.1.7. Примесь замещения. 3.2. Метод функций Грина в теории дефектов. Приложение к случаю сильной связи. 3.2.1. Связь между резольвентой, или оператором Грина, и плотностью состояний. 3.2.2. Локальные плотности состояний и функции Грина. 3.2.3. Анализ локальных возмущений с помощью функций Грина. 3.2.4. Приложение к задаче Костера-Слэтера. 3.2.5. Функция Грина и метод моментов. 3.2.6. Функция Грина полубесконечной цепочки. Приложение к случаю вакансии. 3.2.7. Более точные методы решения задач с сильной связью с помощью функций Грина // Точечные дефекты в полупроводниках: Теория / М. Ланно, Ж. Бургуэн, В. Л. Гуревич . – М. : Мир, 1984 . – с. 77-120 .