Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Хааз, Е. - 3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кр...
Хааз, Е. - 3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кр...
Книга (аналит. описание)
Автор: Хааз, Е.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Хааз, Е.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Хааз, Е.
3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кремния. Активность изотопа P-32 в кремнии. Образование радиоактивных изотопов в других полупроводниковых материалах / Е. Хааз, Дж. Мартин // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 38-48 . – ( ; 11) .
Хааз, Е.
3. НТЛ-метод с точки зрения возникновения радиоактивности. Радиоактивность поверхностного слоя кремния. Активность изотопа P-32 в кремнии. Образование радиоактивных изотопов в других полупроводниковых материалах / Е. Хааз, Дж. Мартин // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 38-48 . – ( ; 11) .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный