Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Янг, М. - 14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Р...
Янг, М. - 14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Р...
Книга (аналит. описание)
Автор: Янг, М.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Р...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Янг, М.
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников: 14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Р...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Янг, М.
14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Результаты и их обсуждение / М. Янг, С. Марш, Р. Барон // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 198-207 . – ( ; 11) .
Янг, М.
14. Дефекты с мелкими уровнями в кремнии p-типа, облученного нейтронами. Методика эксперимента. Результаты и их обсуждение / М. Янг, С. Марш, Р. Барон // Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников / Дж. Миз . – М. : Мир, 1982 . – с. 198-207 . – ( ; 11) .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Книга
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников
Мир, 1982 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный