Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 2. Физические основы ядерного легирования полупроводников. 2.1. Ядерные реакции как источник примесных атомов. 2.2. Ядерные реакции под действием заряженных частиц. 2.3. Ядерные реакции под действием гамма-лучей. 2.4. Ядерные реакции под действием нейтронов. 2.5. Легирующие примеси и характер их распределения в полупроводниках, легированных с помощью (n, гамма)-реакций. 2.6.Влияние побочных факторов на ядерное легирование. 2.7. Возможности получения p-n-переходов методом ядерного легирования // Легирование полупроводников методом ядерных реакций / Л. С. Смирнов, С. П. Соловьев, В. Ф. Стась, В. А. Харченко ; отв. ред. Л. С. Смирнов . – Новосибирск : Наука, 1981 . – с. 29-72 .