Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание соста...
Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание соста...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Получение однородных полупроводниковых кристаллов: Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание соста...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Получение однородных полупроводниковых кристаллов: Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание соста...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание состава с помощью нормального охлаждения. Однократный проход расплавленной зоны через равномерный в среднем исходный образец. Целевая загрузка. Равномерное легирование чистого кристалла однократным проходом зоны. Связь общих закономерностей процесса выравнивания с видом формулы для величины теоретического выхода // Получение однородных полупроводниковых кристаллов / В. Н. Романенко . – М. : Металлургия, 1966 . – с. 46-61 .
Глава 4. Использование приблизительно равномерной части распределения состава. Выравнивание состава с помощью нормального охлаждения. Однократный проход расплавленной зоны через равномерный в среднем исходный образец. Целевая загрузка. Равномерное легирование чистого кристалла однократным проходом зоны. Связь общих закономерностей процесса выравнивания с видом формулы для величины теоретического выхода // Получение однородных полупроводниковых кристаллов / В. Н. Романенко . – М. : Металлургия, 1966 . – с. 46-61 .