Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 2. Применение жидкостной эпитаксии в технологии полупроводниковых материалов: Аппаратурное оформление процесса жидкостной эпитаксии: 'Открытый' метод. 'Закрытый' метод. Получение полупроводниковых материалов методом жидкостной эпитаксии: Соединения AIIIBV на основе галлия. Соединения AIIIBV на основе индия. Соединения AIIIBV на основе алюминия. Германий и кремний. Соединения AIIBVI. Твердые растворы на основе соединений AIIIBV. Твердые растворы AIIIBV-AIIBVI. Твердые растворы на основе соединений AIIBVI // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 67-149 .