Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостно...
Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостно...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов: Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостно...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов: Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостно...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Книга (аналит. описание)
Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии. Получение омических контактов. Туннельные диоды. Диоды с S-образной вольт-амперной характеристикой. Диоды Ганна. Источники спонтанного излучения. Электролюминесцентные диоды на основе GaAs. Светодиоды на основе GaP. Инжекционные лазеры // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 156-185 .
Полупроводниковые приборы на основе гомо-p-n-переходов: Получение p-n-переходов методом жидкостной эпитаксии. Получение омических контактов. Туннельные диоды. Диоды с S-образной вольт-амперной характеристикой. Диоды Ганна. Источники спонтанного излучения. Электролюминесцентные диоды на основе GaAs. Светодиоды на основе GaP. Инжекционные лазеры // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 156-185 .
Привязано к:
Доступно
4 из 4
Книга
Андреев, В. М.
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов
Сов. радио, 1975 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный
Андреев, В. М.
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов
Сов. радио, 1975 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСИС : Научный