Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор мате...
Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор мате...
Книга (аналит. описание)
Автор:
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов: Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор мате...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов: Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор мате...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор материалов для гетеропереходов: Параметры решетки. Ширина запрещенной зоны и электронное сродство. Оптические константы. Особенности использования метода жидкостной эпитаксии для получения гетеропереходов. Получение и свойства некоторых гетеропереходов. Получение и свойства гетеропереходов в системе AlAs-GaAs. Получение и свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs-pGaAs. Получение и свойства гетеропереходов p-AlxGa1-xAs-n-GaAS // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 186-221 .
Глава 4. Получение и свойства гетеропереходов: Гетеропереходы. Основные представления. Выбор материалов для гетеропереходов: Параметры решетки. Ширина запрещенной зоны и электронное сродство. Оптические константы. Особенности использования метода жидкостной эпитаксии для получения гетеропереходов. Получение и свойства некоторых гетеропереходов. Получение и свойства гетеропереходов в системе AlAs-GaAs. Получение и свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs-pGaAs. Получение и свойства гетеропереходов p-AlxGa1-xAs-n-GaAS // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 186-221 .