Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 5. Полупроводниковые приборы с гетеропереходами: Диоды на основе гетеропереходов: Высоковольтные диоды. Быстродействующие диоды на изотипных гетеропереходах. Туннельные гетеродиоды. Фотоэлектрические приборы: Преобразователи солнечной энергии. Фотоэлементы с селективной спектральной чувствительностью. Координатно-чувствительные фотоэлементы. Источники спонтанного излучения. Электролюминесцентные структуры с гетеропереходами. Люминесцентные свойства твердых растворов Al-Ga1-xAs. Структуры с плавными гетеропереходами. Структуры с резкими гетеропереходами. Инжекционные гетеролазеры: Принцип действия гетеролазера. Гетеролазер n-AlxGa1-xAs-p-GaAS. Гетеролазер p-AlxGa1-xAs-n-GaAS. Гетеролазеры p+-AlxGa1-xAs-p-GaAs-n-GaAs. Гетеролазеры с двумя гетеропереходами ('тройная' структура). Приборы с несколькими p-n-гомо и гетеропереходами: Транзисторные структуры с гетеропереходами. Диоды с S-образной вольт-амперной характеристикой на основе полуизолирующего GaAs. Динисторы // Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов / В. М. Андреев, Л. М. Долгинов, Д. Н. Третьяков, Ж. И. Алферов . – М. : Сов. радио, 1975 . – с. 222-285 .