Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 4. Некоторые вопросы теории диффузии в полупроводниках: Влияние комплексообразования на диффузию примесей в полупроводниках. Влияние внутренних электрических полей на диффузию. Кулоновское взаимодействие при вакансионном механизме диффузии в полупроводниках. Коэффициент диффузии и уровень химического потенциала в полупроводниках.Диссоциативный механизм диффузии в полупроводниках. Эффект увлечения ионов электронами и дырками. Соотношение Эйнштейна. Причины наблюдающихся отклонений. Об аномальной скорости диффузии некоторых примесей в германии и кремнии (Взаимосвязь диффузии с растворимостью) // Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс . – М. : Наука, 1972 . – с. 76-108 .