Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 14. Влияние облучения на диффузию в полупроводниках: Влияние облучения на диффузию в результате увеличения концентрации точечных дефектов. Ионизационный механизм ускорения диффузии. Ускорение диффузии в результате упругого рассеяния частиц на диффундирующих атомах. Активная диффузия о-вспышками. Другие возможные механизмы. Экспериментальное исследование радиационно-стимулированной диффузии в полупроводниках. Влияние собственного излучения радиоактивных изотопов на диффузию. О фотостимулированной диффузии // Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках / Б. И. Болтакс . – М. : Наука, 1972 . – с. 285-299 .