Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 3. Выращивание монокристаллов: Техника выращивания и качество монокристаллов: Метод вертикального вытягивания по Чохральскому. Метод горизонтальной зонной плавки. Вертикальная бестигельная зонная плавка для кристаллов кремния. Устойчивость жидкой зоны. Другие методы выращивания кристаллов. Распределение температуры как параметр роста кристалла: Термические условия в процессе вытягивания. Граница раздела расплав-кристалл. Внешние особенности выращенного кристалла. Термические напряжения при росте кристаллов. Распределение ямок травления. Термические напряжения и пластическая деформация кристалла. Термическая деформация и виды ямок травления. Активные дислокации. Бездислокационные кристаллы. Теория роста кристаллов применительно к полупроводникам: Ступенчато растущая поверхность. Спиральная терраса. Рост кристалла из расплава. Кристаллизация веществ с решеткой алмаза // Несовершенства и активные центры в полупроводниках : Пер. с англ. / Р. Г. Родес, М. А. Бетуганов, А. А. Галаев, С. С. Горелик, Ю. М. Литвинов . – М. : Металлургия, 1968 . – с. 109-163 .