Электронный каталог библиотеки МИСИС

Книга (аналит. описание)

Глава 6. Дефекты и полупроводниковые свойства германия и кремния: Влияние дислокаций на электрические свойства: Изменение электросопротивления при пластической деформации. Рассеяние заряженных носителей дислокациями. Время жизни и рекомбинация носителей на дислокациях. Рекомбинация на малоугловых границах зерен. Влияние радиационных повреждений на полупроводниковые свойства: Воздействие облучения на материалы. Природа радиационных повреждений. Пороговая энергия атомного смещения. Изменение проводимости и наблюдаемые энергетические уровни. Изменение холловской подвижности. Спектры энергетических уровней, образующихся при облучении: Толкование, основанное на теоретических моделях. Влияние отжига на облучение Ge и Si: Термический возврат. Теоретический анализ возврата // Несовершенства и активные центры в полупроводниках : Пер. с англ. / Р. Г. Родес, М. А. Бетуганов, А. А. Галаев, С. С. Горелик, Ю. М. Литвинов . – М. : Металлургия, 1968 . – с. 252-307 .