Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Легирование полупроводников ионным внедрением
Легирование полупроводников ионным внедрением
Доступно
2 из 2
2 из 2
Книга
Автор:
Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей
Издательство: Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей
Издательство: Мир, 1971 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Книга
VIII-5 Л-385
Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – 532 с. : ил., табл. + Библиогр. в конце статей : руб. 1.90 .
418073 01:Книгохранение
418075 01:Книгохранение
VIII-5 Л-385
Легирование полупроводников ионным внедрением : Сборник статей / ред. пер. В. С. Вавилов, В. М. Гусев . – М. : Мир, 1971 . – 532 с. : ил., табл. + Библиогр. в конце статей : руб. 1.90 .
418073 01:Книгохранение
418075 01:Книгохранение
Связанные описания:
Книга (аналит. описание)
Лэгсгор, Е.
Координатно-чувствительные полупроводниковые детекторы частиц, изготовленные методом ионного леги...
б.г.
ISBN отсутствует
Лэгсгор, Е.
Координатно-чувствительные полупроводниковые детекторы частиц, изготовленные методом ионного леги...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Донелли, Д. П.
Изменение типа проводимости и получение p-n-переходов в CdTe n-типа путем ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Донелли, Д. П.
Изменение типа проводимости и получение p-n-переходов в CdTe n-типа путем ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Бэррил, Дж. Т.
Ионное внедрение как производственная технология
б.г.
ISBN отсутствует
Бэррил, Дж. Т.
Ионное внедрение как производственная технология
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Блемайрз, Н. Г.
Исследование полупроводниковых структур, полученных ионным внедрением
б.г.
ISBN отсутствует
Блемайрз, Н. Г.
Исследование полупроводниковых структур, полученных ионным внедрением
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Баченен, Б.
Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
б.г.
ISBN отсутствует
Баченен, Б.
Получение новых полупроводниковых структур с p-n-переходами методом облучения ионами высокой (1-2...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глотэн, П.
Эксперименты по изготовлению приборов методом ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Глотэн, П.
Эксперименты по изготовлению приборов методом ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Керр, Дж. А.
Полупроводниковые приборы, изготовленные методом ионного легирования
б.г.
ISBN отсутствует
Керр, Дж. А.
Полупроводниковые приборы, изготовленные методом ионного легирования
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Ганерсен, Е. М.
Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
б.г.
ISBN отсутствует
Ганерсен, Е. М.
Влияние радиационных дефектов на профиль распределения концентрации носителей в кремнии и германи...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Гибсон, У. М.
Электрические и физические измерения на кремнии, легированном ионным методом в условиях каналиров...
б.г.
ISBN отсутствует
Гибсон, У. М.
Электрические и физические измерения на кремнии, легированном ионным методом в условиях каналиров...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Рут, Р. П.
Легирование кремния путем внедрения ионов бора
б.г.
ISBN отсутствует
Рут, Р. П.
Легирование кремния путем внедрения ионов бора
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Лардж, Л. Н.
Распределение проводимости в тонких слоях кремния, облученных ионами бора
б.г.
ISBN отсутствует
Лардж, Л. Н.
Распределение проводимости в тонких слоях кремния, облученных ионами бора
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Мейер, Дж. У.
Ионное легирование кремния. 2. Электрические свойства легированных слоев, определенные путем изме...
б.г.
ISBN отсутствует
Мейер, Дж. У.
Ионное легирование кремния. 2. Электрические свойства легированных слоев, определенные путем изме...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Дэвис, Д. А.
Ионное легирование кремния. 1. Исследование нарушений решетки и местонахождения атомов методом ра...
б.г.
ISBN отсутствует
Дэвис, Д. А.
Ионное легирование кремния. 1. Исследование нарушений решетки и местонахождения атомов методом ра...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Мейер, Дж. У.
Ионное легирование полупроводников: нарушение кристаллической решетки и электрические свойства ле...
б.г.
ISBN отсутствует
Мейер, Дж. У.
Ионное легирование полупроводников: нарушение кристаллической решетки и электрические свойства ле...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Кларк, А. Х.
Холловские измерения на слоях кремния, подвергнутых ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Кларк, А. Х.
Холловские измерения на слоях кремния, подвергнутых ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Альтон, Дж. Д.
Радиационные дефекты и примеси замещения в монокристаллах германия, облученных ионами B+, Al+, Ga...
б.г.
ISBN отсутствует
Альтон, Дж. Д.
Радиационные дефекты и примеси замещения в монокристаллах германия, облученных ионами B+, Al+, Ga...
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Макколдин, Дж. О.
Легирующие свойства ионов, внедренных в полупроводники при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Макколдин, Дж. О.
Легирующие свойства ионов, внедренных в полупроводники при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Швуттке, Дж.
Легирование монокристаллов кремния путем внедрения ионов азота высокой энергии
б.г.
ISBN отсутствует
Швуттке, Дж.
Легирование монокристаллов кремния путем внедрения ионов азота высокой энергии
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Андерсон, У. У.
Локализация примесных атомов в узлах решетки при ионном легировании
б.г.
ISBN отсутствует
Андерсон, У. У.
Локализация примесных атомов в узлах решетки при ионном легировании
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Нельсон, Р. С.
Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Нельсон, Р. С.
Влияние температуры и каналирования на радиационные дефекты, созданные в Si при ионной бомбардировке
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Андерсон, В. В.
Легирование CdS фосфором методом ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Андерсон, В. В.
Легирование CdS фосфором методом ионного внедрения
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Андерсен, Дж. Ю.
Каналирование быстрых заряженных частиц и некоторые его применения
б.г.
ISBN отсутствует
Андерсен, Дж. Ю.
Каналирование быстрых заряженных частиц и некоторые его применения
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Глотен, Ф. М.
Влияние температуры на поведение ионов фосфора при облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Глотен, Ф. М.
Влияние температуры на поведение ионов фосфора при облучении кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Эйзен, Ф. Г.
Каналирование ионов средней массы в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Эйзен, Ф. Г.
Каналирование ионов средней массы в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Кляйнфельдер, У. Дж.
Распределение примесей, внедренных ионной бомбардировкой в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Кляйнфельдер, У. Дж.
Распределение примесей, внедренных ионной бомбардировкой в кремний
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Дирнли, Г.
Профили внедрения каналированных ионов Р 32 в кристаллах кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Дирнли, Г.
Профили внедрения каналированных ионов Р 32 в кристаллах кремния
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Браун, У.
Обзор экспериментальных данных по эффекту каналирования
б.г.
ISBN отсутствует
Браун, У.
Обзор экспериментальных данных по эффекту каналирования
б.г.
ISBN отсутствует