Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бублик, В. Т. - Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+...
Бублик, В. Т. - Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+...
Статья
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бублик, В. Т.
Кристаллография: Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Бублик, В. Т.
Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+, после имплантации и активирующего отжига / Реальная структура кристаллов / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. А. Комарницкая, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская, С. Б. Евгеньев // Кристаллография . – 1999 . – Т. 44, N 6 . – 1106-1112 .
Бублик, В. Т.
Формирование ансамбля радиационных точечных дефектов в тонких слоях GaAs, легированных ионами Si+, после имплантации и активирующего отжига / Реальная структура кристаллов / В. Т. Бублик, К. Д. Щербачев, Е. А. Комарницкая, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская, С. Б. Евгеньев // Кристаллография . – 1999 . – Т. 44, N 6 . – 1106-1112 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1