Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Осадчий, В. М. - Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вициналь...
Осадчий, В. М. - Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вициналь...
Статья
Автор: Осадчий, В. М.
Физика и техника полупроводников: Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вициналь...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Осадчий, В. М.
Физика и техника полупроводников: Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вициналь...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Осадчий, В. М.
Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вицинальных поверхностях / Низкоразмерные системы / В. М. Осадчий // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1229-1231 .
Осадчий, В. М.
Моделирование распределения электронов в структурах AlGaAs/GaAs(сигма-Si), выращенных на вицинальных поверхностях / Низкоразмерные системы / В. М. Осадчий // Физика и техника полупроводников . – 1999 . – Т. 33, N 10 . – 1229-1231 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 33, N 10
1999 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный