Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Качурин, Г. А. - Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электр...
Качурин, Г. А. - Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электр...
Статья
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электр...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Качурин, Г. А.
Физика и техника полупроводников: Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электр...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Качурин, Г. А.
Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электронные и оптические свойства полупроводников / Г. А. Качурин, Л. Реболе, И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фреб // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 1 . – 23-27 .
Качурин, Г. А.
Формирование центров фотолюминесценции при отжиге слоев SiO2, имплантированных ионами Ge / Электронные и оптические свойства полупроводников / Г. А. Качурин, Л. Реболе, И. Е. Тысченко, В. А. Володин, М. Фельсков, В. Скорупа, Х. Фреб // Физика и техника полупроводников . – 2000 . – Т. 34, N 1 . – 23-27 .
Привязано к:
Доступно
1 из 1
Выпуск
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 1
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный
Физика и техника полупроводников Т. 34, N 1
2000 г.
ISBN отсутствует
Библиотека МИСиС : Научный